49146 晶飛半導體完成數千萬元天使輪融資,無限基金See Fund領投

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晶飛半導體完成數千萬元天使輪融資,無限基金See Fund領投
投融界 ·

Iselin

2023/11/20
晶飛半導體成立于2023年7月,專注于激光垂直剝離技術研究,旨在實現對第三代半導體材料的精準剝離,以有效降低碳化硅襯底的生產成本。

11月20日消(xiao)息,近日,專注于半導體(ti)激光領域的初創公司晶飛半導體(ti),宣布已于2023年9月中旬(xun)成功完成了數千(qian)萬(wan)元(yuan)的天使輪(lun)融(rong)資。晶飛半導體(ti)本次融(rong)資由無(wu)限基金See Fund領投(tou),德聯(lian)資本和(he)中科神光跟投(tou)。

本輪(lun)融資為(wei)晶飛半(ban)導體(ti)注(zhu)入了(le)強(qiang)大的資本支(zhi)持,所(suo)獲資金將(jiang)主(zhu)要(yao)應用于(yu)公(gong)司產(chan)品(pin)迭代(dai)與更新,積極響應行業(ye)需求,通過技術創新提供更先進、更經濟的解決方案(an),推(tui)動中國半(ban)導體(ti)產(chan)業(ye)的發展,乃至為(wei)全球半(ban)導體(ti)技術的進步貢獻重要(yao)力量。

晶飛(fei)半(ban)導體成立于2023年7月,專注(zhu)于激光垂直(zhi)剝(bo)離(li)(li)技術研(yan)究,旨在實(shi)現對第三代半(ban)導體材料的(de)精準剝(bo)離(li)(li),以有效(xiao)降低碳(tan)化(hua)(hua)硅襯(chen)底的(de)生(sheng)產(chan)成本。在6英寸(cun)和8英寸(cun)碳(tan)化(hua)(hua)硅襯(chen)底激光垂直(zhi)剝(bo)離(li)(li)技術的(de)研(yan)發方面(mian),公司(si)近5年連(lian)續獲得“北京市科技計劃項目”支持,并正與國內(nei)頭(tou)部(bu)的(de)襯(chen)底企業(ye)展開(kai)合作工藝開(kai)發。

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公司的技術(shu)源(yuan)自中科院半導體所的科技成果轉(zhuan)化,創始團隊深耕于激(ji)光(guang)(guang)精細(xi)微加工(gong)領域,利(li)用超快激(ji)光(guang)(guang)技術(shu),為(wei)各種(zhong)超薄、超硬、脆性材(cai)料提供激(ji)光(guang)(guang)解決方案,積(ji)極推動(dong)激(ji)光(guang)(guang)精細(xi)加工(gong)在制(zhi)造業的國產化和(he)傳統工(gong)藝替代。

相(xiang)較于傳統金(jin)剛線切割(ge)工藝,激光垂直剝(bo)離(li)技術可完成高效、精(jing)準的(de)材(cai)料剝(bo)離(li),同時(shi)減(jian)少了碳化硅晶圓(yuan)的(de)損(sun)傷,從而解決(jue)了加工速(su)度低、損(sun)耗大(da)、成本高等問題。

目(mu)前(qian)晶飛(fei)半(ban)導體的(de)第一代樣機(ji)已完成組裝與調試,正在(zai)與頭部企業客戶進行合作驗證和工(gong)藝開發(fa)。產(chan)品在(zai)工(gong)藝與設備的(de)穩(wen)定一致性(xing)達到客戶要(yao)求后即可完成客戶端產(chan)線部署的(de)商業化進程(cheng),本輪(lun)融資正是在(zai)商業化節點上提供重要(yao)助(zhu)力。

加(jia)上(shang)晶(jing)飛半(ban)導體(ti)團隊此前已經做了大(da)量的(de)知識產權(quan)儲備(bei),使(shi)公(gong)司能夠在(zai)多個領域提(ti)供創新解(jie)決方案,通(tong)過與(yu)客戶(hu)的(de)緊密(mi)合作以確保(bao)他們(men)夠充分利用公(gong)司的(de)設備(bei)和技術,讓公(gong)司的(de)創新成果在(zai)半(ban)導體(ti)材料(liao)加(jia)工(gong)中具(ju)有(you)巨(ju)大(da)潛力,為(wei)客戶(hu)提(ti)供更高效、更精(jing)確的(de)加(jia)工(gong)解(jie)決方案。

晶飛(fei)半導體本次投資跟(gen)投方(fang)德聯資本投資經理(li)康乾熙認為,新能源革(ge)命的大背景(jing)下,碳(tan)化硅(gui)功率器件(jian)市場潛力巨(ju)大,但成本是制約其滲透率的關鍵因素。在(zai)器件(jian)層面,碳(tan)化硅(gui)襯(chen)底成本占比高達47%,且由(you)于其材(cai)料(liao)物理(li)特性,在(zai)切片環節中近一(yi)半的材(cai)質被無謂損耗;激光剝(bo)片這一(yi)新技術的出現可(ke)以顯(xian)著(zhu)降低襯(chen)底成本,是推動(dong)碳(tan)化硅(gui)器件(jian)滲透的重要手段。

晶飛半導(dao)體 天使(shi)輪 See Fund
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